Định nghĩa Memory Refresh là gì?
Memory Refresh là Memory Refresh. Đây là nghĩa tiếng Việt của thuật ngữ Memory Refresh - một thuật ngữ thuộc nhóm Technology Terms - Công nghệ thông tin.
Độ phổ biến(Factor rating): 5/10
Bộ nhớ refresh là một quá trình chủ yếu là xác định các đặc điểm của bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM), đó là sử dụng loại bộ nhớ máy tính nhất. Quá trình này liên quan đến việc định kỳ đọc thông tin từ một phần nhất định của bộ nhớ và ngay lập tức viết lại các thông tin đọc vào vùng rất giống nhau mà không cần thực hiện bất kỳ thay đổi. Nó là một quá trình duy trì nền đó là cần thiết cho hoạt động của DRAM. Khi đi vào hoạt động, mỗi người trong số các tế bào bộ nhớ cần được làm mới nhiều lần. Tuy nhiên, khoảng thời gian tối đa giữa hai làm mới được xác định bởi nhà sản xuất của bộ nhớ và nằm trong phân khúc phần nghìn giây.
Xem thêm: Thuật ngữ công nghệ A-Z
Giải thích ý nghĩa
Trong một chip bán dẫn DRAM, nhỏ tụ lưu trữ mỗi bit dữ liệu bởi sự hiện diện hay vắng mặt của một điện sạc điện. Trong thời gian trôi qua, các chi phí có xu hướng bị rò rỉ ra, điều này có nghĩa mà mất phí tương đương với việc mất dữ liệu. Để truy cập này, mạch điện bên ngoài được thiết kế để đọc dữ liệu và sau đó viết lại nó ngay lập tức, do đó khôi phục lại điện tích trên tụ điện xuống mức bình thường của nó. Mỗi chu kỳ bộ nhớ refresh cũng được thực hiện theo một khu vực thành công của các tế bào bộ nhớ và cuối cùng làm mới mỗi tế bào trong một chu kỳ đầy đủ. Quá trình này xảy ra tự động ở chế độ nền. Bộ nhớ đọc và ghi các hoạt động cũng không có sẵn trong quá trình của một chu kỳ làm mới, tuy nhiên, trong bộ nhớ hiện đại chip thời gian overhead là quá nhỏ mà nó thường không noticibly chậm hoạt động trí nhớ.
What is the Memory Refresh? - Definition
Memory refresh is a process that largely defines the characteristics of dynamic random access memory (DRAM), which is the most used computer memory type. The process involves the periodic reading of information from a certain section of the memory and the immediate rewriting of the read information to the very same area without making any changes. It is a background maintenance process that is necessary for operation of DRAMs. When in operation, each of the memory cells needs to be refreshed repeatedly. However, the maximum interval between two refreshes is defined by the manufacturer of the memory and lies in the millisecond segment.
Understanding the Memory Refresh
In a DRAM semiconductor chip, small capacitors store each bit of data by the presence or absence of an electric charge. Over the passage of time, these charges tend to leak away, which would mean that loss of charge is equivalent to the loss of data. In order to counter this, external circuitry is designed to read the data and then rewrite it immediately, thereby restoring the charge on the capacitor to its normal level. Every memory refresh cycle is also done as per a succeeding area of memory cells and eventually refreshing every cell in a full cycle. The process happens automatically in the background. Memory read and write operations are also not available during the process of a refresh cycle, however, in modern memory chips the time for overhead is so small that it usually does not noticibly slow down memory operation.
Thuật ngữ liên quan
- Synchronous DRAM (SDRAM)
- Static Random Access Memory (SRAM)
- Semiconductor
- Capacitor
- Binary Format
- Pixel Pipelines
- Bypass Airflow
- Equipment Footprint
- In-Row Cooling
- Raised Floor
Source: Memory Refresh là gì? Technology Dictionary - Filegi - Techtopedia - Techterm