Định nghĩa Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) là gì?
Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) là Ferroelectric Memory Access Random (FRAM). Đây là nghĩa tiếng Việt của thuật ngữ Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) - một thuật ngữ thuộc nhóm Technology Terms - Công nghệ thông tin.
Độ phổ biến(Factor rating): 5/10
Ram sắt điện (FRAM, FRAM hoặc FeRAM) là một hình thức của bộ nhớ non-volatile tương tự như DRAM trong ngành kiến trúc. Tuy nhiên, nó làm cho việc sử dụng một lớp sắt điện ở vị trí của một lớp điện môi để đạt được tính không hỏng hóc. Coi là một tiềm năng thay thế cho công nghệ ram non-volatile, ram sắt điện cung cấp các tính năng tương tự như bộ nhớ flash.
Xem thêm: Thuật ngữ công nghệ A-Z
Giải thích ý nghĩa
Mặc dù tên, ram sắt điện không thực sự chứa bất kỳ chất sắt. Nó noramlly sử dụng zirconate titanate chì, mặc dù các tài liệu khác cũng đôi khi được dùng. Mặc dù phát triển ngày RAM sắt điện trở lại để những ngày đầu của công nghệ bán dẫn, các thiết bị đầu tiên dựa trên RAM sắt điện được sản xuất khoảng năm 1999. Một tế bào bộ nhớ RAM sắt điện bao gồm một dòng bit cũng như một tụ điện kết nối với một tấm. Các giá trị nhị phân 1 hoặc 0 được lưu trữ dựa trên định hướng của lưỡng cực trong các tụ điện. Định hướng của lưỡng cực có thể được thiết lập và đảo ngược với sự giúp đỡ của điện áp.
What is the Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)? - Definition
Ferroelectric random-access memory (FRAM, F-RAM or FeRAM) is a form of non-volatile memory similar to DRAM in architecture. However, it makes use of a ferroelectric layer in place of a dielectric layer in order to attain non-volatility. Considered as one potential alternative for non-volatile random-access memory technologies, ferroelectric random-access memory provides the same features as that of flash memory.
Understanding the Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)
In spite of the name, ferroelectric random-access memory does not actually contain any iron. It noramlly uses lead zirconate titanate, though other materials are also sometimes used. Although development of ferroelectric RAM dates back to the early days of semiconductor technology, the first devices based on ferroelectric RAM were produced around 1999. A ferroelectric RAM memory cell is comprised of a bit line as well as a capacitor connected to a plate. The binary values 1 or 0 are stored based on the orientation of the dipole within the capacitor. The orientation of the dipole can be set and reversed with the help of voltage.
Thuật ngữ liên quan
- RAM Chip
- Random Access Memory Latency (RAM Latency)
- Static Random Access Memory (SRAM)
- Dynamic Random Access Memory (DRAM)
- Random Access
- Xerography
- Data Bank
- Elk Cloner
- Level 2 Cache (L2 Cache)
- Data Warehouse Appliance
Source: Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) là gì? Technology Dictionary - Filegi - Techtopedia - Techterm