Định nghĩa Resistive Random Access Memory (ReRAM) là gì?
Resistive Random Access Memory (ReRAM) là Điện trở bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (ReRAM). Đây là nghĩa tiếng Việt của thuật ngữ Resistive Random Access Memory (ReRAM) - một thuật ngữ thuộc nhóm Technology Terms - Công nghệ thông tin.
Độ phổ biến(Factor rating): 5/10
Điện trở Random Access Memory (RRAM ở dạng / ReRAM) là một loại bộ nhớ mới được thiết kế để được non-volatile. Nó đang được phát triển bởi một số công ty, và một số đã cấp bằng sáng chế phiên bản riêng của họ về công nghệ này. Bộ nhớ hoạt động bằng cách thay đổi điện trở của vật liệu điện môi đặc biệt gọi là memresistor (bộ nhớ điện trở) có sức đề kháng khác nhau tùy theo điện áp đặt.
Xem thêm: Thuật ngữ công nghệ A-Z
Giải thích ý nghĩa
RRAM ở dạng là kết quả của một loại mới của vật liệu điện môi mà không bị hư hỏng vĩnh viễn và không thành công khi cố điện môi xảy ra; cho một memresistor, sự cố điện môi là tạm thời và có thể đảo ngược. Khi điện áp được cố tình áp dụng cho một memresistor, đường dẫn điện cực nhỏ được gọi là sợi được tạo ra trong vật liệu. Các sợi này được gây ra bởi hiện tượng như di cư kim loại hoặc thậm chí các khuyết tật về thể chất. Sợi có thể bị phá vỡ và đảo ngược bằng cách áp dụng điện áp bên ngoài khác nhau. Đó là sự sáng tạo này và phá hủy các sợi với số lượng lớn cho phép lưu trữ dữ liệu kỹ thuật số. Vật liệu có đặc điểm memresistor bao gồm oxit titan và niken, một số chất điện, vật liệu bán dẫn, và thậm chí một vài hợp chất hữu cơ đã được thử nghiệm để có những đặc điểm này.
What is the Resistive Random Access Memory (ReRAM)? - Definition
Resistive Random Access Memory (RRAM/ReRAM) is a new type of memory designed to be non-volatile. It is under development by a number of companies, and some have already patented their own versions of the technology. The memory operates by changing the resistance of special dielectric material called a memresistor (memory resistor) whose resistance varies depending on the applied voltage.
Understanding the Resistive Random Access Memory (ReRAM)
RRAM is the result of a new kind of dielectric material which is not permanently damaged and fails when dielectric breakdown occurs; for a memresistor, the dielectric breakdown is temporary and reversible. When voltage is deliberately applied to a memresistor, microscopic conductive paths called filaments are created in the material. The filaments are caused by phenomena like metal migration or even physical defects. Filaments can be broken and reversed by applying different external voltages. It is this creation and destruction of filaments in large quantities that allows for storage of digital data. Materials that have memresistor characteristics include oxides of titanium and nickel, some electrolytes, semiconductor materials, and even a few organic compounds have been tested to have these characteristics.
Thuật ngữ liên quan
- Rambus Dynamic Random Access Memory (RDRAM)
- Random Access Memory (RAM)
- Flash Storage
- Memory Resistor (Memristor)
- Pixel Pipelines
- Bypass Airflow
- Equipment Footprint
- In-Row Cooling
- Raised Floor
- Server Cage
Source: Resistive Random Access Memory (ReRAM) là gì? Technology Dictionary - Filegi - Techtopedia - Techterm